[发明专利]氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种使用GaN的发光元件。在基板(10)上，依次层积SiN缓冲层(12)、GaN缓冲层(14)、无掺杂GaN层(16)、掺杂Si的n－GaN层(18)、SLS层(20)、无掺杂GaN层(22)、MQW发光层(24)、SLS层(26)及p－GaN层(28)，而形成p电极(30)]和n电极(32)。MQW发光层(24)使用了交互地层积InGaN井层和AlGaN障壁层的构造。设定了SLS层(20)、(26)的Al成分比是5％以上、25％以下，MQW发光层(24)的井层的In成分比是3％以上、20％以下，障壁层的Al成分比是1％以上、30％以下。通过将各层的成分比及膜厚调整为希望值，而提高波长400nm以下的发光效率。

主权项

1.一种氮化镓类化合物半导体装置，其特征在于，具有：基板；形成在前述基板上、并交互地层积n型AlGaN层和n型GaN层所构成的第1超晶格层；形成在前述第1超晶格层上、并交互地层积GaN类量子井层和GaN类量子障壁层所构成的多重量子井层；以及形成在前述多重量子井层上、并交互地层积p型AlGaN层和p型GaN层所构成的第2超晶格层。