[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 03805147.8 | 申请日： | 2003-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1639874A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 岩田浩;柴田晃秀 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于：提供能够用一个晶体管实现2位的存储保持，并能实现微细化的半导体存储器件。在栅电极13的侧壁的两侧形成与栅绝缘膜12独立的2个电荷保持部61、62。据此，使电荷保持部61、62担当的存储器功能和栅绝缘膜12担当的晶体管工作功能分离。由于在栅电极13的两侧形成的2个电荷保持部61、62通过栅电极13分离，能有效地抑制改写时的干扰。因此，能够提供用一个晶体管实现2位的存储保持，并能实现微细化的半导体存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器件，其特征在于：配备：半导体衬底(1、111、187)；在上述半导体衬底(1、111、187)上形成的栅绝缘膜(12、114)；在上述栅绝缘膜(12、114)上形成的单一的栅电极(13、117)；在上述单一的栅电极(13、117)侧壁的两侧形成的2个电荷保持部(61、62、161、162、162a)；与上述2个电荷保持部(61、62、161、162、162a)的每一个对应的2个扩散层区(17、18、112、113)；以及配置在上述单一的栅电极(13、117)下面的沟道区，上述电荷保持部(61、62、161、162、162a)有由具有存储电荷功能的第1绝缘体(15、142、142a)构成的膜，被第2绝缘体(14、141、141a)与第3绝缘体(16、143)夹持的结构，上述电荷保持部(61、62、161、162、162a)被构成为，根据保持在上述第1绝缘体(15、142、142a)中的电荷的多少，使在对上述栅电极(13、117)施加电压时，从上述一方的扩散层区(17、18、112、113)流向另一方扩散层区(17、18、112、113)的电流量发生变化。
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