[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03803048.9 | 申请日： | 2003-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1625810A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 岩崎富生;石塚典男;三浦英生 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供可靠性高、成品率高的半导体装置。本发明的半导体装置具备硅衬底、在上述硅衬底主表面侧形成的栅绝缘膜、层叠在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，以及含有砷和磷的扩散层，其中，砷的最高浓度部分的浓度和磷的最高浓度部分的浓度都在大于等于1026原子/m3、小于等于1027原子/m3的范围内，且使得磷的最高浓度部分从上述硅衬底表面向下的深度小于等于砷的最高浓度部分的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底、形成在所述半导体衬底的一主表面侧的具有III族元素杂质的区域、形成在所述区域上的栅绝缘膜、层叠在所述栅绝缘膜上形成的栅电极；以及与所述栅电极对应的、含有V族元素杂质的源区或漏区，其特征是：所述源区或漏区具有V族的第一元素和V族的第二元素，所述第一元素和所述第二元素中的一种是原子半径比构成所述半导体衬底的主要构成元素的原子半径大的元素，另一种是原子半径比所述主要构成元素的原子半径小的元素，将所述第一元素的浓度达到最高的区域从所述半导体衬底表面向下的深度形成为小于等于所述第二元素的浓度达到最高的区域从所述半导体衬底表面向下的深度，所述第一元素比所述第二元素轻。
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