[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03160250.9 | 申请日： | 2003-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1494127A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 今出昌宏;海本博之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以降低由于结晶缺陷而引起的漏电流的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有在半导体基板(11)的元件形成区域(Re)上设置的MISFET和包围元件形成区域(Re)侧面的沟槽元件分离部(13)，从沟槽元件分离部(13)的上方一直延伸到元件形成区域(Re)中沟槽元件分离部(13)相邻部分的上面，设置氧气通过抑制膜(23)。氧气通过抑制膜(23)由氧气难以穿过的氮化硅等构成。由此，半导体基板(11)的元件形成区域(Re)的上缘部就不容易被氧化，因而可以使该上缘部的体积膨胀得到抑制，降低应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：包括：具有元件形成区域的半导体层；包围所述半导体层的所述元件形成区域的沟槽元件分离部；至少覆盖所述沟槽元件分离部与所述元件形成区域的边界，在所述沟槽元件分离部与所述元件形成区域上跨越设置的，具有抑制氧气通过性质的覆膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
