[发明专利]半导体存储器器件的位线预充电电路无效
| 申请号： | 03158092.0 | 申请日： | 2003-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1494084A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 朱在勋;金炳喆;姜尚锡;李圭澯;李进锡;郭柄宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4091 | 分类号： | G11C11/4091;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器器件的位线预充电电路包括一个连接在一对位线之间的预充电电路，用于响应预充电控制信号，对该位线对预充电以及一个预充电电压传输电路，用于响应所述预充电控制信号，将预充电电压传输给预充电电路。当在字线和位线对之间形成短路时，通过防止电流从所述位线对流向所述预充电电压生成线，可以防止预充电电压生成线中的电压降，还可以减少半导体存储器器件在备用操作期间的电流消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 器件 位线预 充电 电路 | ||
【主权项】：
1、一种用于半导体存储器器件的位线预充电电路，包括：第一和第二晶体管，其串联连接在一个位线对之间，并各自具有一个栅极，该栅极上施加了预充电控制信号，以便响应所述预充电控制信号，将预充电电压传输到所述位线对；第三晶体管，连接在所述位线对之间并具有一个栅极，该栅极把接收的所述预充电控制信号作为输入，用于均衡所述位线对的电压电平；其中所述第一和第二晶体管具有大于所述第三晶体管的沟道长度，以便所述第一和第二晶体管具有高于所述第三晶体管的阻抗。
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