[发明专利]半导体存储器器件的位线预充电电路无效
| 申请号： | 03158092.0 | 申请日： | 2003-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1494084A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 朱在勋;金炳喆;姜尚锡;李圭澯;李进锡;郭柄宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4091 | 分类号： | G11C11/4091;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 器件 位线预 充电 电路 | ||
【权利要求书】：
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