[发明专利]具有自身触发效能的静电放电防护电路无效
| 申请号： | 03156067.9 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1510749A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;徐国钧;罗文裕 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种具有自我触发特性的静电放电防护电路，特别有关于一种可被均匀触发的静电放电防护电路。本发明是利用中央指状元件先导通的特性去触发其它指状元件的寄生双载子晶体管导通。在多指状的闸极接地N型金氧半晶体管结构中，将中央指状元件原本应接地的源极端，改接到其它寄生双载子晶体管的基极端。在静电放电发生时，便能利用中央指状元件先导通去触发所有其它指状元件的寄生双载子晶体管导通，而达到均匀导通的特性。借由此种方式，由多指结构所形成的静电放电防护电路(NMOS或PMOS)可以均匀地被触发而导通静电放电电流。此发明不会增加组件布局面积，却能大大地增加静电放电耐受度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自身 触发 效能 静电 放电 防护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种具有自身触发效能的静电放电防护电路，适用于一具有输出入接合垫的集成电路，其特征在于该静电放电防护电路包括：一金氧半(MOS)晶体管，具有多指状元件结构，其中指状元件均具有寄生双载子晶体管，该指状元件的汲极是耦接至该输出入接合垫而源极耦接至一电位，且在所有指状元件中至少一个具有最大基体电阻的指状元件的源极耦接至该些寄生双载子晶体管的基极。
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