[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03154911.X | 申请日： | 2003-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1534779A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 下村奈良和 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括第一导电性的半导体基片；和在邻近半导体基片的内表面形成的第一电极形成区和第二电极形成区。第一电极形成区和第二电极形成区通过元件隔离区而互相隔离。在第一电极形成区和第二电极形成区之一中形成了上面的第一类型杂质层和下面的第一类型杂质层，下面的第一类型杂质层有不同于上面的第一类型杂质层的第一类型杂质浓度，并形成在上面的第一类型杂质层的下面。在另一个电极形成区，形成了第二类型杂质层和第一类型杂质层，且第一类型杂质层在具有第二类型杂质的第二类型杂质层的部分区域的下面形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其包括：第一导电性的半导体基片；在邻近半导体基片的内表面形成的第一电极形成区和第二电极形成区，其中第一电极形成区和第二电极形成区通过元件隔离区而互相隔离，上面的第一类型杂质层和下面的第一类型杂质层是在第一电极形成区和第二电极形成区之一中形成的，下面的第一类型杂质层具有不同于上面的第一类型杂质层的第一类型杂质浓度，并形成在上面的第一类型杂质层的下面，第二类型杂质层和第一类型杂质层形成在另一个电极形成区，并且第一类型杂质层形成在具有第二类型杂质的第二类型杂质层的部分区域的下面。
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