[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，在由半导体元件、多层布线层、接合凸垫(204)、钝化膜(206)等形成的晶圆(202)上涂敷缓冲涂敷膜(208)之后，通过曝光、显影，对缓冲涂敷膜(208)图形化，将缓冲涂敷膜(208)中位于接合凸垫(204)、划线区域(210)上的部分、以及位于外周区域(218)上的部分除去，形成开口部(208a)。然后，在晶圆(202)的表面上通过粘接糊(220)粘贴表面保护带(212)的状态下，采用研磨液对晶圆的背面进行研磨。在外周区域(218)中包含划线区域(210)的开口部(208a)采用粘接糊(220)堵塞，不使研磨液侵入。从而可以防止在晶圆的背面研磨工艺中所产生的研磨屑从晶圆的周边部侵入。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征是包括在形成了半导体元件、布线层的晶圆上方形成接合凸垫的工艺(a)；在上述工艺(a)之后、形成具有包含位于所述接合凸垫的一部分上方的区域的开口部的钝化膜的工艺(b)；在所述工艺(b)之后、堆积覆盖所述钝化膜的一部分的缓冲涂敷膜的工艺(c)；在所述缓冲涂敷膜上，形成包含位于距离所述晶圆的外周一定距离的范围的外周区域、划线区域、及所述接合凸垫的一部分的上方的各区域的开口部的工艺(d)；在所述工艺(d)之后、采用粘接用部件在所述晶圆上粘接表面保护带的工艺(e)；以及在所述工艺(e)之后、对所述晶圆的背面进行研磨的工艺(f)。