[发明专利]包括由镶嵌工艺形成内连线的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03143451.7 | 申请日： | 2003-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1505139A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 松原直辉;藤田和范 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种包括由镶嵌工艺形成内连线的半导体器件及其制造方法，在把形成在下层内连线1上的层间电介质薄膜4腐蚀成具有小孔的形状之后，利用腐蚀抑制层5，把上层电介质薄膜6腐蚀成具有沟槽的形状。通过附加的腐蚀除去暴露在沟槽底部的腐蚀抑制层5，然后，把暴露在沟槽底部的层间电介质薄膜4向后腐蚀到预定的厚度。接着，用内连金属10填塞该小孔和沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 镶嵌 工艺 形成 连线 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基片；多层薄膜，包括第一电介质薄膜，腐蚀抑制层和第二电介质薄膜，这些薄膜依次堆积在所述半导体基片上，所述腐蚀抑制层的介电常数比所述第一和第二电介质薄膜的介电常数大；以及金属内连线，形成在所述多层薄膜上；其中，所述腐蚀抑制层的上表面位于所述金属内连线的上表面基准的下面，而所述腐蚀抑制层的下表面位于所述金属内连线的下表面基准的上面。
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