[发明专利]有高介电常数的电介质和厚电极的电容器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 03128447.7 申请日: 1998-05-28
公开(公告)号: CN1516280A 公开(公告)日: 2004-07-28
发明(设计)人: 山口弘 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/31;H01L21/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种有高介电常数的电介质和厚的下电极的电容器,使漏导电流减小。厚的下电极形成在层间绝缘层上。通常,层间绝缘层形成在半导体衬底上。下电极有顶面、底面和侧面,顶面与层间绝缘层相对。下电极顶面上形成与其接触的绝缘帽或覆盖层。绝缘帽或覆盖层覆盖下电极顶面,不覆盖下电极侧面。形成覆盖下电极和绝缘帽或覆盖层的电容器介质层。电容器介质层与绝缘帽或覆盖层和下电极的侧面接触。电容器介质层上形成与其接触的上电极。电容器介质层夹在上下电极之间以构成电容器结构。层间绝缘层的一部分的厚度比其余部分的厚度厚。
搜索关键词: 介电常数 电介质 电极 电容器 及其 制造 方法
【主权项】:
1、电容器,包括:(a)在其中有导电接触栓的层间绝缘层上形成的扩散阻挡层;所述扩散阻挡层的底面与所述接触栓相接触;(b)所述扩散阻挡层上形成的厚的下电极;所述下电极包括有顶面、底面和侧面的中心部分,和围绕所述中心部分的壳部;所述中心部分的顶面和底面用所述壳部覆盖;所述中心部分的底面不用所述壳部覆盖,并与所述扩散阻挡层接触;所述下电极的所述壳部有凸面和圆形面;所述下电极的所述壳部有阻挡氧的扩散阻挡性能;(c)形成的电容器介质层,覆盖所述下电极与所述下电极的所述壳部的凸面和圆形表面接触;所述电容器介质层与所述下电极的所述壳部的所述圆形表面接触;(d)所述电容器介质层上形成的与其相接触的上电极;其中,所述电容器介质层夹在所述上下电极之间,由此构成电容器结构。
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