[发明专利]有高介电常数的电介质和厚电极的电容器及其制造方法无效
申请号: | 03128447.7 | 申请日: | 1998-05-28 |
公开(公告)号: | CN1516280A | 公开(公告)日: | 2004-07-28 |
发明(设计)人: | 山口弘 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/31;H01L21/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种有高介电常数的电介质和厚的下电极的电容器,使漏导电流减小。厚的下电极形成在层间绝缘层上。通常,层间绝缘层形成在半导体衬底上。下电极有顶面、底面和侧面,顶面与层间绝缘层相对。下电极顶面上形成与其接触的绝缘帽或覆盖层。绝缘帽或覆盖层覆盖下电极顶面,不覆盖下电极侧面。形成覆盖下电极和绝缘帽或覆盖层的电容器介质层。电容器介质层与绝缘帽或覆盖层和下电极的侧面接触。电容器介质层上形成与其接触的上电极。电容器介质层夹在上下电极之间以构成电容器结构。层间绝缘层的一部分的厚度比其余部分的厚度厚。 | ||
搜索关键词: | 介电常数 电介质 电极 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、电容器,包括:(a)在其中有导电接触栓的层间绝缘层上形成的扩散阻挡层;所述扩散阻挡层的底面与所述接触栓相接触;(b)所述扩散阻挡层上形成的厚的下电极;所述下电极包括有顶面、底面和侧面的中心部分,和围绕所述中心部分的壳部;所述中心部分的顶面和底面用所述壳部覆盖;所述中心部分的底面不用所述壳部覆盖,并与所述扩散阻挡层接触;所述下电极的所述壳部有凸面和圆形面;所述下电极的所述壳部有阻挡氧的扩散阻挡性能;(c)形成的电容器介质层,覆盖所述下电极与所述下电极的所述壳部的凸面和圆形表面接触;所述电容器介质层与所述下电极的所述壳部的所述圆形表面接触;(d)所述电容器介质层上形成的与其相接触的上电极;其中,所述电容器介质层夹在所述上下电极之间,由此构成电容器结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的