[发明专利]降低应力迁移的多重金属内连线布局及其制造方法有效
| 申请号： | 03121649.8 | 申请日： | 2003-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1531078A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 范淑贞;胡顶达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;陈红 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种降低应力迁移(Stress Migration)的多重金属内连线(Multilevel Interconnects)布局及其制造方法，其可在大面积金属层上加入扩散阻障(Diffusion Block)或孔洞槽(Vacancy Sink)，以避免微小孔洞因热应力聚集而导致电路产生断路。也可在大面积金属层与小面积金属突出部之间以渐缩方式进行连接，以减低两者的热应力差异。或者，增加小面积金属突出部的介层窗的数量，以增加对热应力迁移的抵抗能力。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 应力 迁移 多重 金属 连线 布局 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种降低应力迁移的多重金属内连线布局，至少包括：一金属层；一金属突出部，其中该金属突出部与该金属层的一边缘接合；以及一阻障区位于该金属层上。
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