[发明专利]采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺

摘要

一种CVD淀积TiSiN薄膜的集成电路制造工艺，采用化学汽相淀积方法，用He2携带含Ti的化学物质TDMA和含Si的3甲基硅烷物质，或者SiCH4化学物质，通过热分解淀积一层TiSiN薄膜，并在原位进行H2－N2射频等离子处理。用这种方法淀积的TiSiN，具有良好的台阶覆盖，均匀的电阻分和膜厚均匀性。TiSiN是一种物理性能和化学性能都稳定的Cu扩散阻挡层，而且，TiSiN中富含N，可以防止低介电材料(Low－κ)中F离子的扩散。TiSiN的另一个特点是它与Cu金属薄膜以及多孔低介电常数(Low－κ)介质的粘附性都很好，有利于提高Cu互联金属的抗电迁移水平，适用于Al多层金属布线工艺和Cu金属大马士革互联工艺。

主权项

1、一种基于CVD淀积TiSiN薄膜的制造工艺，其特征在于：第一步，用化学汽相淀积方法，利用含Ti的化学物质TDMA，和含Si的物质3甲基硅烷或者硅烷，淀积一层TiSiN薄膜；第二步，在原位进行H2-N2射频等离子处理。