[发明专利]具有金属－金属电容器的集成电路的结构及其形成方法无效
| 申请号： | 03107404.9 | 申请日： | 2003-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1474454A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王政烈;林建廷;陈文吉 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/52;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关形成于半导体结构最上层之上的金属－金属电容器及其形成方法。其中所述金属－金属电容器之下极板是位于所述半导体结构的最上层。所述金属－金属电容器的上极板与所述半导体结构与外界连接的接合垫可以在同一制程中形成。藉由所述的过程，可以有效地形成一组金属－金属电容器于一组半导体结构的最上层。另外，在所述的过程中，除了可以省下一道光罩之外，还因为金属－金属电容器是形成于半导体结构的最上层，所以可依据制程需要来延伸金属－金属电容器的电极板，进而提升金属－金属电容器的电容量。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 电容器 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有金属-金属电容器的集成电路的结构，其特征在于，包含：一第一金属层，该第一金属层位于一半导体结构的最上层；一介电层，该介电层位于该第一金属层之上；一第二金属层，该第二金属层位于该介电层之上；一保护层，该保护层形成于该第二金属层与该半导体结构上；及一接合垫，该接合垫穿过该保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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