[发明专利]包括微米和亚微米特征的半导体等器件的光机械特征制作无效
| 申请号： | 03103377.6 | 申请日： | 2003-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1434349A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | P·梅;C·P·陶西;A·H·简斯 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F1/00;H01L21/027;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用来在初期半导体器件或其它微米器件或纳米器件的聚合物层(402，502)中制作微米和亚微米尺寸的特征的方法和系统。用具有相应侵入体(204－207)的光机械压模(403，503)来直接印制小的特征。借助于通过光机械压模透射UV辐照而将聚合物表面被选择区域(411，520)的表面暴露于UV辐照，以化学改变聚合物，使暴露于UV的或屏蔽掉UV的区域被溶剂清除，从而产生大的特征。于是，本发明的所述实施方案就提供了一种局部透明的印制掩模，其对精细的特征采用纯粹机械印制，而对大的特征采用类光刻的化学聚合物清除。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 微米 特征 半导体 器件 机械 制作 | ||
【主权项】：
1.一种用来在器件的聚合物层(402，502)中制作特征的方法，所述器件被设计成包括微米和亚微米元件和组成部分，该方法包括：提供光机械图形印制掩模(403，503)；将图形从光机械图形印制掩模(403，503)机械地转移到聚合物层(402，502)上，以便在聚合物层内产生窄的特征；通过光机械图形印制掩模透射辐照以便有选择地将聚合物的区域(411，520)暴露于辐照，导致暴露的聚合物区域和未被暴露的聚合物区域的有差异的化学稳定性；以及清除对化学清除方法敏感的聚合物区域(411，520)。
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