[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03101846.7 | 申请日： | 2003-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1434510A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 饭岛匡 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥,于静 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：基底；在基底上的第一区域，包括第一绝缘部分和在第一绝缘部分中形成的导电部分，所述第一绝缘部分包含相对介电常数最大为3.0的绝缘膜；基底上的第二区域，在与基底的主表面平行的方向上与第一区域相邻，并且包括在所述方向上与第一绝缘部分位置相邻并且不包含相对介电常数最大为3.0的绝缘膜的第二绝缘部分；以及，第二区域上形成的并且电气连接到导电部分的焊接区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基底；在该基底上的第一区域，包括第一绝缘部分和在第一绝缘部分中形成的导电部分，所述第一绝缘部分包含相对介电常数最大为3.0的绝缘膜；在该基底上的第二区域，在与基底的主表面平行的方向上与第一区域相邻，并且包括在所述方向上与第一绝缘部分相邻并且不包含相对介电常数最大为3.0的绝缘膜的第二绝缘部分；以及在第二区域上形成的并且电气连接到导电部分的焊接区。
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