[发明专利]双重扩散型MOSFET及其半导体装置有效
| 申请号： | 03101521.2 | 申请日： | 2003-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1433083A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 滨泽靖史 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种L－DMOSFET。其中包括：由形成在半导体基板(11)上的N型半导体层构成的漏极区域(13)、由形成在漏极区域(13)内的P型半导体区域构成的底盘区域(15)、形成在底盘区域(15)内的N型源极区域(16)和形成在底盘区域(15)表面上的栅极电极(21)，其特征在于：在漏极区域(13)内形成N+型漏极接触区域(18)和P+型区域(19)，并使该两区域的电位相等。从而，不会降低L－DMOSFET的本来的特性，并且不需增大元件面积便可实现高的抗静电击穿耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 扩散 mosfet 及其 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种双重扩散型MOSFET，包括：由形成在半导体基板上的N型半导体层构成的漏极区域、由形成在所述漏极区域内的P型半导体区域构成的底盘区域、形成在所述底盘区域内的N型源极区域和在所述底盘区域表面上通过介入栅极绝缘膜而形成的栅极电极，其特征在于：在所述漏极区域内，具有形成在漏极区域表面上的N+型漏极接触区域、及与所述N+型漏极接触区域电连接成具有相等电位的P+型区域。
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