[发明专利]配线构造及制造方法、带配线构造的半导体装置及配线基板无效
| 申请号： | 03100968.9 | 申请日： | 2003-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN1433072A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 岡山芳央 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/538;H01P3/00;H05K3/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 赵国华 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种能包含能简化制造工序的传输线路构造的配线构造。该配线构造，包括在基板上的第1绝缘膜上形成的第1槽，沿第1槽的内面的至少一部分、形成在第1槽的延伸方向的第1配线，以及构成与第1配线一起传输信号用的传输线路、经第2绝缘膜、与第1配线对向形成的第2配线；并且，将第1配线、第2绝缘膜及第2配线埋入在第1槽内。经过形成第1槽时的1次的石印工序、腐蚀工序及保护膜除去工序、以及1次的CMP工序、形成该配线构造，因此能简化制造工序。 | ||
| 搜索关键词： | 构造 制造 方法 带配线 半导体 装置 配线基板 | ||
【主权项】：
1.一种配线构造，其特征在于，包括第1槽，形成在基板上的第1绝缘膜上，第1配线，沿所述第1槽的内面的至少一部分、形成在所述第1槽的延伸方向，以及第2配线，构成与所述第1配线一起传输信号用的传输线路，经第2绝缘膜与所述第1配线对向形成；将所述第1配线、所述第2绝缘膜及所述第2配线，埋入在所述第1槽内。
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