[发明专利]带有多指接通用同步和分布式自偏压功能的静电放电(ESD)保护装置

摘要

本发明揭示一种ESD保护电路(150)，其包括一用于一具有被保护电路的半导体集成电路(IC)的同步偏压多指导通MOS器件。该ESD保护电路包括：一多指式NMOS晶体管(100)，其中每一指均具有用于分别耦合于IC的一I/O焊垫(20)与大地(15)之间的一漏极及源极，以及一用于对该指施加偏压的栅极；一ESD检测器(310)，其包含一PMOS晶体管(311)，该PMOS晶体管(311)具有一用于耦合至IC的I/O焊垫的源极及一耦合至IC的一电源电压(90)的栅极；一寄生电容(900)，其形成于IC的电源线与大地之间；一具有一第一二极管(321)的转移电路(320)，其耦合于PMOS晶体管的漏极与NMOS晶体管每一指的栅极之间。

主权项

1、一种用于ESD保护的具有复数个指的MOS器件100，其中所述复数个指(151，153)中的每一指均包含：一P-阱(104)；复数个散布于所述P-阱中的N+漏极区(122)，所述N+漏极区耦合至一高电位；复数个散布于所述P-阱中并基本平行于所述复数个散布的N+漏极区的N+源极区(124)，所述N+源极区耦合至大地(15)；一栅极区(116)，其位于所述复数个散布的N+漏极区与复数个散布的N+源极区之间并位于所述P-阱区之上；及一第一复数个P+局部基材连接线区(120D)，其散布于所述复数个散布的N+漏极区之间并与所述复数个散布的N+漏极区电气绝缘；一第二复数个P+局部基材连接线区(120S)，其散布于所述复数个散布的N+源极区之间并与所述复数个散布的N+源极区电气绝缘，其中至少两个指的所述第一与第二复数个P+基材连接线区之一的至少一个所述P+局部基材连接线区电气相连，及每一指的所述栅极区，其耦合至任一包含一前置驱动电路(600，601)的元件、大地(15)及所述第一及第二复数个P+局部基材连接线区。(图1，2A-2C)