[发明专利]氮化物半导体元件有效
| 申请号： | 02811713.1 | 申请日： | 2002-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1515035A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 福田芳克;藤冈阳 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了提供漏电流低、而且静电耐压高的氮化物半导体元件，本发明的氮化物半导体元件是，在分别由多个氮化物半导体层构成的p侧层和n侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层的氮化物半导体元件，作为形成p欧姆电极的层，p侧层包含p型接触层，并且p型接触层由p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层交互叠层而成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物半导体元件，其在分别由多个氮化物半导体层构成的p侧层和n侧层之间，具有由氮化物半导体构成的活性层，其特征在于：作为形成p欧姆电极的层，上述p侧层包含p型接触层；该p型接触层由p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层交互层叠而成。
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