[发明专利]氮化物半导体元件有效
| 申请号： | 02807309.6 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1528037A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 长滨慎一;柳本友弥 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00;H01L31/04;H01L31/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体元件，其在第一导电型层与第二导电型层之间具有活性层12，其采用量子井结构，其中活性层12具有至少一层由含有In与Al的氮化物半导体形成的井层11及由含有Al的氮化物半导体形成的壁垒层2，通过此可得在短波长区发光效率优异的激光元件。特佳的是，该井层1由AlxInyGa1－x－yN(0＜x≤1＜0＜y≤1，x+y＜1)形成而该壁垒层2由AluInvGa1－u－vN(0＜u≤1，0≤v≤1，u+v＜1)形成。实施该发光元件以得在发光区中短波长光线为380nm的优异效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，包含设置在第一导电型层与第二导电型层之间的活性层，其特征在于：该活性层具有一量子井结构，包括至少一层由含有In与Al的氮化物半导体所形成的井层及由含有Al的氮化物半导体所形成的壁垒层。
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