[发明专利]用于在衬底上沉积具有较高介电常数的涂层的方法

摘要

提供了一种用于在衬底(14)如半导体晶片上沉积高k介电涂层的方法。对衬底进行一次或多次反应循环。例如，在典型的反应循环中，将衬底加热到一定的沉积温度。之后，在一个实施例中，将一种或多种用于反应的有机金属气体先质供应到反应容器(12)中。还在一定的氧化温度下向衬底提供氧化气体，以便氧化和/或致密化这些层。结果，形成了金属氧化物涂层，其厚度等于至少约一个单层，在一些情况下等于两个或多个单层。所得金属氧化物涂层的介电常数通常大于约4，在一些情况下为约10到约80。

主权项

1.一种用于在衬底上沉积介电涂层的方法，包括：i)提供一种系统，其包括适于容纳所述衬底的反应容器和与所述反应容器连通以加热容纳在所述容器内的所述衬底的能量源；和ii)对所述衬底进行第一反应循环，所述第一反应循环包括：a)采用所述能量源将所述衬底加热到第一沉积温度，其中所述第一沉积温度大于约300℃；b)在所述衬底处于所述第一沉积温度时向所述反应容器中供应第一气体先质并持续第一沉积时间，所述第一气体先质具有第一气体先质流量，所述第一气体先质包括有机金属化合物；c)在所述衬底处于第一氧化气体温度时向所述反应容器中供应第一氧化气体并持续第一氧化气体时间，所述第一氧化气体具有第一氧化气体流量，其中在所述第一反应循环期间形成电介质的至少部分单层；和iii)对所述衬底进行一个或多个附加反应循环以达到目标厚度。