[发明专利]半导体封装件及其制造方法无效
| 申请号： | 02805240.4 | 申请日： | 2002-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1514954A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | G·贝克;G·加德纳;B·哈克尼斯;L·马伦方特;S·萨尔马 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/075;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体封装件，包含晶片，该晶片有源表面包含至少一个集成电路，其中每一个集成电路具有多个接合焊盘；和覆盖在晶片有源表面的固化的硅氧烷层，条件是每一接合焊盘的至少一部分未被硅氧烷层所覆盖并且其中硅氧烷层由本发明方法制备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造带图案的膜的方法，该方法的特征在于以下步骤：(i)将硅氧烷组合物施用到基底表面以形成膜，其中所述硅氧烷组合物包括：(A)每分子包含平均至少两个与硅键合的链烯基基团的有机聚硅氧烷，(B)每分子包含平均至少两个与硅键合的氢原子的有机硅化合物，其浓度足以固化组合物，和(C)催化量的光活化硅氢化催化剂；(ii)将一部分膜暴露于波长150至800纳米的辐照下以制备部分曝光的膜，该部分曝光的膜具有覆盖了一部分表面的未曝光区和覆盖了其余表面的曝光区；(iii)将该部分曝光的膜加热一段时间，如此使得曝光区基本上不溶于显影溶剂，而未曝光区却溶于显影溶剂；(iv)用显影溶剂除去加热膜的未曝光区从而形成带图案的膜；和(v)将带图案的膜加热一段时间，该加热时间足以形成固化的硅氧烷层。
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