[发明专利]制造半导体存储器的方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体存储器的方法，该方法包括步骤：在一绝缘层上及一接触孔中形成一第一扩散阻挡层；在第一扩散层上形成一导电层；通过将导电层除去而在接触孔中形成一个导电插塞，从而在接触孔内得到一第一凹陷，其中该第一凹陷由接触孔中的导电层包围；对绝缘层上的第一扩散阻挡层进行蚀刻，从而在接触孔内形成一个第二凹陷，其中导电插塞的一部分由该第二凹陷包围，而该第二凹陷由绝缘层包围；将导电插塞由第二凹陷所包围的部分除去，从而在接触孔中形成一第三凹陷，其中该第三凹陷由绝缘层所包围，第三凹陷的底部暴露出第一扩散阻挡层及接触孔中的导电插塞；以及在第三凹陷中形成一第二扩散阻挡层。

主权项

1.一种制造半导体存储器的方法，包括步骤：在半导体衬底上形成一个绝缘层；通过选择性地蚀刻该绝缘层而形成一个露出半导体衬底的接触孔；在绝缘层上及在接触孔中形成一个第一扩散阻挡层；在第一扩散阻挡层上形成一个导电层；通过将导电层除去直至露出绝缘层上的第一扩散阻挡层而在接触孔中形成一个导电插塞，从而在接触孔中得到一个第一凹陷，其中，该第一凹陷由接触孔中的导电层所包围；蚀刻绝缘层上的第一扩散阻挡层，从而在接触孔中形成一个第二凹陷，其中，导电插塞的一部分由第二凹陷所围绕，且第二凹陷由绝缘层所包围；去除导电插塞的由第二凹陷所包围的部分，从而在接触孔中形成一个第三凹陷，其中，该第三凹陷由绝缘层所包围，且第三凹陷的底部暴露出第一扩散阻挡层和接触孔中的导电插塞；以及在第三凹陷中形成一个第二扩散阻挡层。