[发明专利]电源总线静电放电保护装置与方法无效
| 申请号： | 02152654.0 | 申请日： | 2002-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1505144A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林锡聪 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种含有静电放电保护装置的集成电路装置，包括：一基板；一耦合至一第一集成电路接脚的第一节点；一耦合至一第二集成电路接脚的第二节点；一耦合至该第一节点的第一静电放电保护装置；以及一耦合至该第二节点的第二；其中每一静电放电保护装置包括一半导体晶体管结构，其具有一集电极区域、一发射极区域以及一通道形成于该集电极与该发射极之间；而且该第一静电放电保护装置的该集电极包括至少一个岛屿，而且该第二静电放电保护装置的该集电极不包括任何岛屿。金属氧化物半导体场效应晶体管结构提供岛屿结构而被选择性设置于静电放电保护装置中。因此可以最小化的集成电路的模拟与模式化的复杂度来完成静电放电的改进。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 总线 静电 放电 保护装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：一基板；一耦合至一第一集成电路接脚的第一节点；一耦合至一第二集成电路接脚的第二节点；一耦合至该第一节点的第一静电放电保护装置；以及一耦合至该第二节点的第二静电放电保护装置；其中每一静电放电保护装置包括一半导体晶体管结构，其具有一集电极区域、一发射极区域以及一通道形成于该集电极与该发射极之间；而且该第一静电放电保护装置的该集电极包括至少一个岛屿，而且该第二静电放电保护装置的该集电极不包括任何岛屿。
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