[发明专利]CMOS元件及其制造方法有效
| 申请号： | 02150207.2 | 申请日： | 2002-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1499634A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 黄健朝;王昭雄;葛崇祜;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;陈红 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种CMOS元件，其结构包括将压缩或拉伸应力材料层设于PMOS晶体管表面，并将拉伸应力材料层设于NMOS晶体管表面。本发明并提供上述的CMOS元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS元件，其特征在于，它包括：一基底；一PMOS晶体管和一NMOS晶体管，设于该基底上；以及一拉伸应力材料层，至少设于该PMOS晶体管和该NMOS晶体管的源极和漏极上，其中该NMOS晶体管和PMOS晶体管的操作电压介于0.5伏特至12伏特之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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