[发明专利]半导体集成电路装置无效
| 申请号： | 02149801.6 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1426109A | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 清俊和 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路装置，具备：芯片；配置在整个上述芯片上的连接部件(s)；配置在上述芯片周边、具有上述芯片周边侧的第一端部和上述芯片中央侧的第二端部的第一IO单元；配置在上述第一IO单元内侧、具有上述芯片周边侧的第三端部和上述芯片中央侧的第四端部的第二IO单元；设置在上述第一端部、连接到上述连接部件(s)上的第一端子；设置在上述第二端部、连接到上述芯片的内部电路上的第二端子；设置在上述第三端部、连接到上述芯片的内部电路上的第三端子；和设置在上述第四端部、连接到上述连接部件(s)上的第四端子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，具备：芯片；配置在整个上述芯片上的连接部件(s)；配置在上述芯片周边、具有上述芯片周边侧的第一端部和上述芯片中央侧的第二端部的第一IO单元；配置在上述第一IO单元内侧、具有上述芯片周边侧的第三端部和上述芯片中央侧的第四端部的第二IO单元；设置在上述第一端部、连接到上述连接部件(s)上的第一端子；设置在上述第二端部、连接到上述芯片的内部电路上的第二端子；设置在上述第三端部、连接到上述芯片的内部电路上的第三端子；和设置在上述第四端部、连接到上述连接部件(s)上的第四端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
