[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 02149518.1 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1411066A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 山田敬;永野元;水島一郎;佐藤力;親松尚人;新田伸一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具有支持基片；在支持基片上的块状成长层形成第1元件的块状元件区域；在支持基片的埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域；位于这些区域的边界的边界层。在块状成长层形成元件的块状元件区域的元件形成面，与在埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域的元件形成面高度大致相等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：支持基片；在上述支持基片上有块状结晶成长的块状成长层，具有在上述块状成长层形成元件的第1元件形成面的块状元件区域；在上述支持基片上有埋入绝缘膜和该埋入绝缘膜上的SOI层，具有在上述SOI层形成元件的第2元件形成面的SOI元件区域；位于上述块状元件区域和SOI元件区域的边界的边界层，其特征是：上述第1元件形成面和第2元件形成面，位于大致相同高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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