[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02148123.7 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1444276A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 弘长伸夫;竹胁利至;国岛浩之;山本悦章 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,关兆辉 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法。在制造该半导体的方法中，在半导体基底(100)的上面或上方形成由含铜金属膜组成的第一布线(22a，34b)。在半导体基底的整个表面上形成第一夹层绝缘膜(18，16)，以覆盖第一布线。选择性地去除第一夹层绝缘膜，以形成到达第一布线的连接孔。形成阻挡金属膜(30)，以覆盖连接孔的内表面，并且随后形成含铜金属膜(32)以填充连接孔。将连接孔外形成的含铜金属膜去除。在半导体基底的整个表面上形成第二夹层绝缘膜(20，14b)，以覆盖在连接孔内形成的含铜金属膜。选择性地去除第二夹层绝缘膜，以形成布线槽，使得在连接孔内形成的含铜金属膜在底部露出。形成阻挡金属膜来覆盖布线槽的内部，并且，随后形成含铜金属膜以填充布线槽。接着，在布线槽外的含铜金属膜被去除，以形成第二布线(34b和22b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体基底；在所述半导体基底上形成的第一绝缘膜内、包括含铜金属膜的第一布线；在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜内形成、并与所述第一布线相连的、包括含铜金属膜的连接插头；以及在所述第二绝缘膜上的第三绝缘膜内形成、并与所述连接插头相连的、包括含铜金属膜的第二布线。
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