[发明专利]具应变通道层的晶圆的制作方法有效
| 申请号： | 02147385.4 | 申请日： | 2002-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1492480A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 黄健朝;杨育佳;杨国男;林俊杰;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;徐金国 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种具应变通道层的晶圆的制作方法。首先，提供一具有一多孔硅层的第一基材，进行第一热处理以在多孔硅层表面形成一第一硅表面层。接着，磊晶成长一松弛的硅锗层于第一硅表面层上，在松弛的硅锗层上形成一接合层，再将接合层与一第二基材接合。移除多孔硅层及第一基材，并将接合层及松弛的硅锗层保留于第二基材上。进行第二热处理以在松弛的硅锗层表面上形成一第二硅表面层。最后，磊晶成长一磊晶硅层于第二硅表面层上。成长于松弛的硅锗层上的磊晶硅层将具有张力应变。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 通道 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体基材的制作方法，该方法至少包括下列步骤：提供一第一基材，该第一基材的一表面上具有一多孔硅层；在该第一多孔硅层上形成一第一硅表面层；在该第一硅表面层上形成一硅锗层；在该硅锗层上形成一接合层；接合该接合层至一第二基材；移除该第一基材及该多孔硅层，并在该第二基材上保留该接合层及该硅锗层；在该硅锗层上形成一第二硅表面层；以及在该第二硅表面层上形成一硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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