[发明专利]金属氧化物半导体电晶体的制造方法有效
| 申请号： | 02146353.0 | 申请日： | 2002-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1492490A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 顾子琨;黄文助 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体电晶体的制造方法，依序包括下列步骤，首先提供一半导体基底。然后，在半导体基底表面形成一复晶硅层。接着，选择性蚀刻复晶硅层，以形成一栅极电极。利用热氧化法在栅极电极的顶部与侧壁形成二氧化硅层。植入离子于半导体基底，以形成淡掺杂区域。在二氧化硅层侧壁形成一氮化间隙壁，植入离子于半导体基底，以形成当作金属氧化物半电晶体的源极/漏极的浓掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 电晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属氧化物半导体电晶体的制造方法，其特征是：它依序包括下列步骤：(1)提供一半导体基底；(2)在所述半导体基底表面形成一复晶硅层；(3)选择性蚀刻所述复晶硅层，以形成一栅极电极；(4)利用热氧化法，在所述栅极电极的顶部与倒壁形成二氧化硅层；(5)植入离子于所述半导体基底，以形成淡掺杂区域；(6)在所述二氧化硅层侧壁形成一氮化间隙壁；(7)植入离子于所述半导体基底，以形成当作所述金属氧化物半电晶体的源极/漏极的浓掺杂区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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