[发明专利]等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜

摘要

一种等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜属于半导体材料领域。本发明提供一种磁控溅射法生长的半导体氮化铟薄膜作为等离子体滤波器材料，薄膜中In元素和N元素的原子百分比为1∶1，具有较好的晶体质量，不需掺杂就能达到等离子体滤波器所需要的高电子浓度，通过控制生长条件，可以方便的调节薄膜的电子浓度和薄膜厚度，适应不同滤波器的要求，具有很好的滤波性能，并具有光损失小、透过范围大和利于系统集成的优点。

主权项

1、一种等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜，其特征在于用磁控溅射法生长氮化铟薄膜，采用纯度为99.999％的金属铟作为靶，纯氮气为溅射气体，得到的氮化铟薄膜中In元素和N元素的原子百分比为1∶1。