[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 02143426.3 | 申请日： | 2002-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1410999A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 石田耕三;米谷英树;大神武士 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;三菱电机工程株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是供给DRAM的各存储体以能稳定地工作的功率，同时减少功耗。提供具备由2个1组形成存储体的多个阵列、对驱动多个阵列的每一阵列的外围电路供给驱动功率的多个第1电源和对字线供给存取功率的多个第2电源的半导体存储器，其中，上述字线对上述多个阵列进行存取。更具体地说，将多个阵列配置成行列状，使其包围半导体存储器衬底的中央区域，将多个第1电源设置在中央区域一侧和夹住多个阵列中的特定的阵列的相向一侧，将多个第2电源配置在中央区域的4角，多个第1电源利用供给主功率的主电源和供给比主功率小的辅助功率的辅助电源，对形成1个存储体的、分开配置的阵列的组供给功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，具备：由2个1组形成存储体的多个阵列；对驱动上述多个阵列的每一阵列的外围电路供给驱动功率的多个第1电源；以及对字线供给存取功率的多个第2电源，其中，上述字线对上述多个阵列进行存取，其特征在于：将上述多个阵列配置成行列状，使其包围半导体存储器衬底的中央区域，将上述多个第1电源设置在上述中央区域一侧和夹住上述多个阵列中的特定的阵列的相向一侧，将上述多个第2电源配置在上述中央区域的4角，上述多个第1电源作为供给主功率的主电源和供给比上述主功率小的辅助功率的辅助电源，对形成1个存储体的、分开配置的阵列的组供给功率。
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