[发明专利]半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法无效
| 申请号： | 02134851.0 | 申请日： | 2002-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1485864A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 章士瀛;王振平;王守士;章仲涛 | 申请（专利权）人： | 广东南方宏明电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523077*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及陶瓷电容器技术领域，特指表面层半导体陶瓷电容器和晶界层半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法。此方法采用纯氮和液氨分解出的氮、氢混合气作为晶界层半导体瓷片的还原烧结气氛以及表面层半导体瓷片的半导化还原气氛。所述的纯氮气由制氮机制得。所述的晶界层半导体瓷片的还原烧结气氛，所含氢气比例为2％～20％。所述的表面层半导体瓷片的半导化还原气氛，所含氢气比例为5％～30％。采用本发明生产半导体陶瓷电容器瓷片，生产成本大幅降低，且可自行解决氮气、氢气的供应；可将氢气含量调整控制在30％以内，这样大大降低了因在高温窑炉中氢气浓度较高所带来的危险性，使生产工艺变得安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 电容器 瓷片 化工 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体陶瓷电容器瓷片半导化工艺方法，其特征在于：采用纯氮和液氨分解出的氮、氢混合气作为晶界层半导体瓷片的还原烧结气氛以及表面层半导体瓷片的半导化还原气氛。
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