[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02126951.3 | 申请日： | 2002-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1399335A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 梅本武 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括下层互连层；形成有到达下层互连层的连接孔的层间绝缘膜；和被掩埋在连接孔中的上互连层，其中层间绝缘膜包括含有用于检测第一刻蚀结束点的杂质的绝缘膜、第一绝缘膜、含有用于检测第二刻蚀结束点的杂质的绝缘膜和第二绝缘膜，这四层膜按顺序叠加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：下层互连层；形成有到达下层互连层的连接孔的层间绝缘膜；和被掩埋在连接孔中的上互连层，其中层间绝缘膜包括含有用于检测第一刻蚀结束点的杂质的绝缘膜、第一绝缘膜、含有用于检测第二刻蚀结束点的杂质的绝缘膜和第二绝缘膜，这四层膜按顺序叠加。
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