[发明专利]半导体集成电路器件无效
申请号: | 02123143.5 | 申请日: | 2002-06-19 |
公开(公告)号: | CN1450641A | 公开(公告)日: | 2003-10-22 |
发明(设计)人: | 滨田基嗣;石黑仁挥 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 集成电路具备:把90度相位差赋予本地信号的第1移相器;使本地信号和接收信号混频的第1和第2混频电路;把90度相位差赋予第1和第2混频电路的输出信号,输出第1和第2信号的第2移相器;进行第1和第2信号之间的加法和减法运算的加法器和减法器;将减法器输出信号的强度和基准强度进行比较的信号强度检测器;根据该比较结果,使第1和第2混频电路中的任何一方,或使第1和第2混频电路中的任何一方与第1移相器的动作停止的电源控制电路。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路器件,具备:把90度的相位差赋予本地信号的第1移相器;使用上述第1移相器赋予相位差的上述本地信号和接收信号进行混频的第1和第2混频电路;把90度的相位差赋予上述第1和第2混频电路的输出信号,输出被赋予该90度相位差的第1和第2信号的第2移相器;进行上述第1信号和上述第2信号之间的加法运算的加法器;进行上述第1信号和上述第2信号之间的减法运算的减法器;对上述减法器的输出信号的强度和基准强度进行比较的信号强度检测器;根据上述减法器的输出信号的强度和上述基准强度之间的比较结果,使上述第1和第2混频电路中的任何一方,或使上述第1和第2混频电路中的任何一方和上述第1移相器停止动作的电源控制电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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