[发明专利]基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法有效
| 申请号： | 02120281.8 | 申请日： | 2002-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1387231A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 碓井彰;柴田真佐知;大岛祐一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L33/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在衬底主体的基于氮化物的化合物半导体基层上直接形成金属层,其中金属层包括从这样一组金属中选择的至少一种,该组金属借助于热处理,促使从基层中去掉构成原子借助于热能的提供,形成穿过所述金属层的许多小孔,并在基于氮化物的化合物半导体基层中形成很多空隙;利用在开始工序中填充所述空隙和后继的在多孔金属层上的主外延生长,以在所述金属层上形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体层。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化物 化合物 半导体 晶体 衬底 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构的方法，所述方法包括：在基于氮化物的化合物半导体基层上直接形成金属层，其中金属层包括从这样一组金属中选择的至少一种，该组金属借助于热能，促使从所述基于氮化物的化合物半导体基层中去掉构成原子；利用提供的热能，形成穿过所述金属层的许多小孔，和在所述基于氮化物的化合物半导体基层中形成很多空隙；和利用在开始工序中填充所述空隙和后继的在主工序中在所述金属层上的外延生长，进行基于氮化物的化合物半导体晶体的外延生长，以在所述金属层上形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
