[发明专利]具有扁平电极和与其直接接触的突起电极的半导体器件有效
| 申请号： | 02108123.9 | 申请日： | 2002-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1378284A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 池上五郎;长井伸彰 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,方挺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件,具有第一半导体片状器件和第二半导体片状器件。其上形成具有平坦表面的扁平电极的第一半导体片状器件的电极形成表面和其上形成突起电极的第二半导体片状器件的电极形成表面相向设置。而且,扁平电极和突起电极互相电连接。形成扁平电极的导电材料的主要成分与形成突起电极的导电材料的主要成分相同。此外,突起电极的硬度高于扁平电极的硬度。因此,突起电极和扁平电极可以以高可靠性互相电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扁平 电极 与其 直接 接触 突起 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：至少具有扁平电极的第一半导体片状器件；至少具有与所述扁平电极直接连接的突起电极的第二半导体片状器件；其中所述突起电极的导电材料的主要成分与所述扁平电极的导电材料的主要成分相同，并且所述突起电极的硬度高于所述扁平电极的硬度。
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