[发明专利]用于降低集成电路的压降的具有多重狭长带的外部电源环有效
| 申请号： | 02105775.3 | 申请日： | 2002-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1373511A | 公开（公告）日： | 2002-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李耿民;曹云翔 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省台北县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于IC中的电源总线。其组成当做格状(Grid),而且其由使用形成于如数据I/O焊垫(Pad)及多重(Multi－Level)电压I/O焊垫的I/O焊垫上的狭长带(Strip)所组成。所公开的IC包括电源供应I/O焊垫及数据I/O焊垫,其由沉积导体(DepositedConductor)所组成。电源供应I/O焊垫连接至电源总线,而数据I/O焊垫连接至电路。所形成的狭长带沉积导体紧邻于数据I/O焊垫,其中狭长带连接至电源总线。集成电路内会发展成并联路径,以散布电路内的电源。关于多重电压I/O焊垫所采用的是相似的方法。电源总线用来降低压降,并且使送到集成电路内的核心逻辑有较佳的电源供应。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 集成电路 具有 多重 狭长 外部 电源 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，其特征在于：包括：一第一型式的一I/O焊垫，由沉积导体组成，其中该第一型式的该I/O焊垫连接至该集成电路上的一第一点；一狭长带沉积导体，紧邻于该第一型式的该I/O焊垫，其中该狭长带沉积导体连接至该集成电路上的一第二点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威盛电子股份有限公司，未经威盛电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02105775.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种旋转活塞式泵的转子
- 下一篇：洁净室及其方法
