[发明专利]半导体存储装置及其测试方法和测试电路有效

专利信息
申请号: 01815037.3 申请日: 2001-08-30
公开(公告)号: CN1455932A 公开(公告)日: 2003-11-12
发明(设计)人: 高桥弘行;加藤羲之;稻叶秀雄;内田祥三;园田正俊 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C29/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,关兆辉
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够在地址组合的最苛刻条件下进行动作检查的半导体存储装置及其测试方法。在测试时,首先,将特定的数据写入存储单元阵列30。然后,使测试信号TE1为“1”,设定为测试模式。将测试用更新地址存储于数据存储电路51内。将第1测试用地址施加于地址端子21。通过此施加,根据第1测试用地址进行通常的读出或者写入。将第2测试用地址施加于地址端子21。通过此施加,首先根据测试用更新地址进行更新,接着,根据第2测试用地址进行通常的读出或者写入。然后进行存储单元阵列30的数据检查,判断是否有异常。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 测试 方法 电路
【主权项】:
1.一种半导体存储装置的测试方法,该半导体存储装置具有需要更新的多个存储单元,其特征在于:使根据外部输入的第1地址进行前述存储单元的读出或者写入的读出/写入处理,与根据外部输入的第2地址进行前述存储单元的更新的更新处理的组合,在测试动作中至少进行1次。
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