[发明专利]半导体存储器件有效

专利信息
申请号: 01808436.2 申请日: 2001-04-12
公开(公告)号: CN1426586A 公开(公告)日: 2003-06-25
发明(设计)人: 高桥弘行;园田正俊 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C11/407 分类号: G11C11/407
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 关兆辉,谷慧敏
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储器件,即使芯片的内部或外部产生的噪声搭载在地址中,也不进行误操作。随着读出放大器的激活(时刻t7、t13)及数据输出操作(时刻t14),除了在内部产生电源噪声以外,还在任意的定时产生来自外部的系统噪声。将从外部输入的地址Address在锁存控制信号LC的上升沿(时刻t10)取入到内部,所以使输入灵敏度控制信号IC在地址时滞期间(时刻t1~t4)后有效(时刻t6~t12)并降低对地址的灵敏度,除去地址中搭载的噪声。此外,在数据输出操作后使锁存控制信号LC下降(时刻t17)。由此,通过解除锁存状态,防止搭载了噪声的地址错误生成地址变化检测信号ATD。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种控制电路,用于向响应于第1地址信号并进行操作的规定电路供给所述第1地址信号,该控制电路包括:锁存电路,将第2地址信号锁存规定期间,向所述规定的电路输出所述第1地址信号;以及滤波电路,在包含所述锁存电路对所述第2地址信号进行锁存的定时期间中,将使对于输入地址信号的灵敏度下降的信号作为所述第2地址信号输出到所述锁存电路。
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