[发明专利]半导体器件及形成图形方法有效
| 申请号： | 01802148.4 | 申请日： | 2001-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1630938A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | Y·哈塔 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可降低制造成本并改进覆盖效果的半导体器件及形成图形方法。形成ITO薄膜50及MoCr薄膜100后，对ITO薄膜50及MoCr薄膜100进行干法刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成图形方法，其特征在于：所述方法包含在基板上形成第一种金属薄膜的步骤、在该第一种金属薄膜上形成第二种金属薄膜的步骤、通过在该第二及第一金属薄膜上形成图形的方法形成源极、漏极、源总线的图形的步骤；以及进一步的特征在于：所述形成源极、漏极、源总线的图形的步骤，包括在该第二种金属薄膜上形成保护层的步骤，以及在形成该保护层之后，对所述第二种及第一种金属薄膜进行干法刻蚀的第一刻蚀步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家菲利浦电子有限公司，未经皇家菲利浦电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01802148.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：自提升式电熨斗
- 下一篇：喷墨记录墨水,用于喷墨记录的墨水组和喷墨记录方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
