[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法无效
| 申请号： | 01143387.6 | 申请日： | 1995-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1412824A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 德永尚文;奥平定之;水谷巽;田子一农;数见秀之;吉冈健 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了在LSI制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置的制造方法，包括以下步骤：(a)在晶片的第一主表面上形成包含氧化硅的第一绝缘膜，该主表面具有图形化在先薄膜；(b)在第一绝缘膜上形成包含第二绝缘膜的第一薄膜图形；(c)在包括反应气体和惰性气体的混合气体环境下，通过离子辅助刻蚀所述主表面，用所述第一薄膜图形图形化所述第一绝缘膜，其中所述反应气体包含具有3个或多个碳原子的全氟化碳气体以及混合气体环境中惰性气体成分不少于50％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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