[发明专利]一种晶体半导体材料系列A2MM'3Q6无效
| 申请号： | 01143233.0 | 申请日： | 2001-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1424440A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 马宏伟;郭国聪;黄锦顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46 |
| 代理公司： | 福州科扬专利事务所 | 代理人： | 何小星,林朝熙 |
| 地址： | 3500*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种晶体半导体材料系列A2MM’3Q6，涉及半导体材料领域，其中A＝Na，K，Cs；M＝Cu，Ag；M’＝Ga，In；Q＝S，Se，Te。用反应性融盐法，以K2Se4为反应性融盐，按1～1.2∶1～1.2∶1～1.2∶5～6的摩尔比，用In粒，Cu粉，Se粉，置于玻璃管中，真空密封后在500℃～550℃反应合成并同时制备单晶体。该系列晶体用于光敏产品计数器、光电继电器及工业生产的自动控制装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 半导体材料 系列 a2mm q6 | ||
【主权项】：
1.一种晶体半导体材料系列A2MM’3Q6，其中A＝Na，K，Cs；M＝Cu，Ag；M’＝Ga，In；Q＝S，Se，Te，其特征在于：它们的分子式，空间群，单胞参数，单胞内分子数Z，单胞体积V分别为：K2CuIn3Se6空间群为C2h6-C2/c(No15)，单胞参数为a＝11.445(2)，b＝11.495(2)，c＝21.263(4)，β＝97.68(3)°，Z＝8，单胞体积V＝2772.193；K2AgIn3Se6空间群为C2h6-C2/c(No15)，单胞参数为a＝11.632(1)，b＝11.587(1)，c＝21.355(1)，β＝98.01(2)°，Z＝8，单胞体积V＝2850.383；K2CuGa3Se6空间群为C2h6-C2/c(No15)，单胞参数为a＝11.031(2)，b＝11.050(4)，c＝20.808(7)，β＝97.71°(2)，Z＝8，单胞体积V＝2513.413。
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