[发明专利]一种嵌入式存储器的制作方法

摘要

提供一种整合氮化物只读存储器的嵌入式存储器的制作方法。先在定义有存储器区和周边电路区的半导体基底表面上形成ONO层和顶保护层，该周边电路区包含第一、第二和第三元件区，接着利用蚀刻及第一离子植入处理，在存储器区形成各位线。随后在存储器区的顶保护层和ONO层的周围侧壁形成侧壁子，去除第一元件区的顶保护层和ONO层。之后调整第一元件区的起始电压，进行第一热氧化处理，以在各位线和第一元件区表面形成埋藏漏极氧化层和第一闸极氧化层。然后去除第二和第三元件区上的顶保护层和ONO层，在第二及第三元件区形成第二闸极氧化层。最后去除存储器区的顶保护层和第三元件区的第二闸极氧化层，并在第三元件区形成第三闸极氧化层。

主权项

1.一种整合氮化物只读存储器(nitridereadonlymemory，NROM)的嵌入式存储器(embeddedmemory)的制作方法，该嵌入式存储器的制作方法包含有下列步骤：提供一定义有一存储器区以及一周边电路区的半导体基底，且该周边电路区中至少另定义有一第一元件区、一第二元件区以及一第三元件区；在该半导体基底表面形成复数个绝缘物用来隔离元件；在该半导体基底表面形成一ONO层以及一顶保护层；在该ONO层以及该顶保护层表面形成一第一光阻层，并进行一第一黄光处理过程以定义出复数条位线(bitline)的位置；进行一第一蚀刻处理过程，以去除未被该第一光阻层所覆盖的该顶保护层以及该ONO层；进行一第一离子植入处理过程，以在该存储器区的该半导体基底中形成各该位线；去除该第一光阻层；在该存储器区的该顶保护层以及该ONO层的周围侧壁形成一侧壁子(spacer)；进行一第二蚀刻处理过程，去除该第一元件区上的该顶保护层以及该ONO层；进行一第二离子植入处理过程，用来调整该第一元件区的起始电压(thresholdvoltage)；进行一第一热氧化处理过程(theraloxidation)，以在各该位线表面形成一埋藏漏极氧化层(burieddrainoxidelayer)，并在该第一元件区上形成一第一闸极氧化层；进行一第三蚀刻处理过程，去除该第二元件区以及该第三元件区上的该顶保护层以及该ONO层；进行一第二热氧化处理过程，以在该第二元件区以及该第三元件区上形成一第二闸极氧化层；去除该存储器区上的该顶保护层；进行一第四蚀刻处理过程，去除该第三元件区上的该第二闸极氧化层；以及进行一第三热氧化处理过程，以在该第三元件区上形成一第三闸极氧化层。