[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 01121255.1 | 申请日： | 2001-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1322012A | 公开（公告）日： | 2001-11-14 |
| 发明（设计）人： | 山内博史;佐藤雅幸 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件,包括依次在半导体衬底上形成的第一绝缘膜、布线层和第二绝缘膜,第二个绝缘膜配置有一个或多个到达布线层的通孔,其中布线层在除了形成通孔的区域之外的区域由第一绝缘膜和第二绝缘膜电绝缘,形成的到达布线层的通孔的总底面积和布线层的顶表面积之比为1∶300－10000。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底上依次形成的第一绝缘膜、布线层和第二绝缘膜，第二绝缘膜配置有到达布线层的一个或多个通孔，其中布线层在除了形成通孔的区域之外的区域通过第一绝缘膜和第二绝缘膜电绝缘，到达布线层的通孔的总底面积与布线层的顶表面积之比为1∶300-10000。
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