[发明专利]电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 01119032.9 | 申请日： | 2001-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1316777A | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | 吉田荣吉;小野裕司;栗仓由夫;根本道夫;山中英二;山口正洋;岛田宽 | 申请（专利权）人： | 株式会社东金 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/58;H01F41/14;H01F1/047;H01L27/04;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 噪声 抑制器 使用 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体裸芯片，其前表面上形成有集成电路，其中，磁损耗薄膜形成在所述半导体裸芯片的背表面上。
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