[发明专利]采用呈突出复导磁率特性的磁损耗材料的高频电流抑制体有效
| 申请号： | 01116699.1 | 申请日： | 2001-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1318849A | 公开（公告）日： | 2001-10-24 |
| 发明（设计）人： | 渡边真也;龟井浩二;栗仓由夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东金 |
| 主分类号： | H01F10/00 | 分类号： | H01F10/00;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了提供一种表现出显著高频磁损耗特性、能极为有效地消除来自非常密集地集成的电子微电路如半导体集成周边器件的高频传输噪声的磁损耗材料,及其制造方法和所用到的高频电流抑制体,本发明是一种片状、包括在磁性薄膜(19)的至少一个表面上的粘性层或压敏粘性层(23)的高频电流抑制体。这种磁性薄膜是包括M－X－Y的磁损耗材料,其中,M为Fe,Co和Ni中的至少一种,X为不同于M或Y的至少一种元素,而Y为F,N和O中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 突出 导磁率 特性 损耗 材料 高频 电流 抑制 | ||
【主权项】：
1．一种高频电流抑制体，它具有薄片的形状并且包括在磁性薄膜的至少一个表面上的粘性层或压敏粘性层。
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