[发明专利]采用呈突出复导磁率特性的磁损耗材料的高频电流抑制体

权利要求书

1．一种高频电流抑制体，它具有薄片的形状并且包括在磁性薄膜的至少一个表面上的粘性层或压敏粘性层。

2．权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁性薄膜是设置在薄膜状或片状的含有合成树脂的衬底的一个表面上的。

3．权利要求2的高频电流抑制体，其特征在于：所述粘性层或压敏粘性层设置在所述磁性薄膜的一个表面上，所述衬底介于它们之间。

4．权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁性薄膜设置在薄膜状或片状的衬底的一个表面上，以便能够从所述衬底剥离所述磁性薄膜。

5．权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁性薄膜基本上包括具有M-X-Y组合物的磁损耗材料，其中，M为Fe.Co和Ni中的至少一种，Y为F.N和O中的至少一种，而X为不同于M或Y的至少一种元素，并且所述磁损耗材料是一种窄带磁损耗材料，使得损耗因子μ”的最大值μ”max出现在100MHz至10GHz的频率范围内，所述损耗因子μ”为所述磁损耗材料的复导磁率的虚部，并且相对带宽bwr不大于200％，其中相对带宽bwr通过以下方法获得：提取这样两个频率点之间的频带宽度，在这两个频率点上μ”的值是最大值μ”max的50％，并且按照其中心频率将所述带宽归一化。

6．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料具有在0.3μm至20μm范围内的厚度。

7．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料的饱和磁化强度在仅包含M成分的金属磁体的饱和磁化强度的80％至60％的范围内。

8．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料呈现出在100μΩ.cm至700μΩ.cm范围内的直流电阻率。

9．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料中的所述X成分包括C,B,Si,Al,Mg,Ti,Zn,Hf,Sr,Nb,Ta和稀土元素中的至少一种。

10．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料中的M成分以颗粒状分散在所述X-Y复合物基质中。

11．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：具有所述颗粒形状的M成分微粒的平均微粒直径在1nm至40nm的范围内。

12．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料呈现出最多600奥斯特(Oe)(4.74×10⁴A/m)的各向异性磁场强度Hk。

13．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料具有用通式Fe_α-Al_β-O_γ表示的组合物。

14．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料具有用通式Fe_α-Si_β-O_γ表示的组合物。

15．权利要求5的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料是通过溅射或汽相淀积方法制造的薄膜磁体。

16．权利要求1的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁性薄膜基本上包括含有M-X-Y组合物的磁损耗材料，其中M是Fe(铁).Co(钴)和Ni(镍)中的至少一种，Y是F(氟).N(氮)和O(氧)中的至少一种，而X是不同于M或Y的至少一种元素，并且所述磁损耗材料是宽带磁损耗材料，使得所述损耗因子μ”是所述磁损耗材料的复导磁率的虚部，它的最大值μ”max存在于100MHz至10GHz的频率范围内，并且相对带宽bwr不小于150％，其中相对带宽bwr通过以下方法获得：提取这样两个频率点之间的频带宽度，在这两个频率点上μ”的值是最大值μ”max的50％，并且按照其中心频率将所述带宽归一化。

17．权利要求16的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料的饱和磁化强度在仅含有M成分的金属磁体的饱和磁化强度的60％至35％的范围内。

18．权利要求16的高频电流抑制体，其特征在于：所述磁损耗材料呈现出大于500μΩ.cm的直流电阻率值。