[发明专利]半导体装置和“绝缘体上的半导体”衬底无效
| 申请号： | 01116581.2 | 申请日： | 2001-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1340862A | 公开（公告）日： | 2002-03-20 |
| 发明（设计）人： | 国清辰也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的第1目的是提供具有在与氧化硅膜相比可减薄膜厚并且防止了性能变坏的栅绝缘膜的系统化的半导体装置,第2目的是提供通过提高元件隔离绝缘膜或SOI衬底内的埋入氧化膜的抗热载流子的性能来提高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备由在硅衬底1上按下述顺序设置的包含重氢的氧化硅膜111和包含重氢的氮化硅膜121这2层膜构成的栅绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 绝缘体 衬底 | ||
【主权项】：
权利要求书1.一种半导体装置，具备至少一种MOSFET，该MOSFET具有设置在半导体衬底的主表面上的栅绝缘膜和设置在上述栅绝缘膜上的栅电极，其特征在于：上述栅绝缘膜具有第一2层膜，该第一2层膜是氧化硅膜和氧化氮化硅膜的2层膜，在至少1层中包含重氢原子，或具有第二2层膜，该第一2层膜是氮化硅膜和氧化氮化硅膜的2层膜，在至少1层中包含重氢原子。
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